מספר מוצר של יצרן:
STP25N60M2-EP
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP25N60M2-EP-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
1008 יחידות חדשות מק originales במלאי
12877286
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP25N60M2-EP מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M2-EP
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
188mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.75V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1090 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP25
מידע נוסף
שמות אחרים
497-15892-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STD80N6F7
MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
STB38N65M5
MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
STW18NM80
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
