מספר מוצר של יצרן:
SIHP11N80E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHP11N80E-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
11 יחידות חדשות מק originales במלאי
12787363
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHP11N80E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
E
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
440mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
88 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1670 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
179W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SIHP11
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP10NM60ND
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
631
DiGi מספר חלק
STP10NM60ND-DG
מחיר ליחידה
0.91
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXFP14N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFP14N60P-DG
מחיר ליחידה
2.90
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SIHP11N80E-BE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
876
DiGi מספר חלק
SIHP11N80E-BE3-DG
מחיר ליחידה
1.49
סוג משאב
Direct
מספר חלק
FCP600N60Z
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
781
DiGi מספר חלק
FCP600N60Z-DG
מחיר ליחידה
1.07
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SISA96DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
SIA408DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
SISA04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
