מספר מוצר של יצרן:
FCP600N60Z
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FCP600N60Z-DG
תיאור:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 7.4A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
781 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946347
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCP600N60Z מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
SuperFET® II
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
26 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1120 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
89W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FCP600N60Z
ONSFSCFCP600N60Z
חבילה סטנדרטית
258
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FCP4N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
AUIRFS3806
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
BUK6607-55C,118
NOW NEXPERIA BUK6607-55C - 100A,