מספר מוצר של יצרן:
FDP8860
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDP8860-DG
תיאור:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 254W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
17481 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946355
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDP8860 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
222 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
12240 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
254W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSONSFDP8860
2156-FDP8860
חבילה סטנדרטית
238
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDP3672
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
IRF9240
HEXFET POWER MOSFET
FDD6296
MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK
