FDP3672
מספר מוצר של יצרן:

FDP3672

Product Overview

יצרן:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

FDP3672-DG

תיאור:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
תיאור מפורט:
N-Channel 105 V 5.9A (Ta), 41A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3

מלאי:

9651 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946356
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDP3672 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
105 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.9A (Ta), 41A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
33mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
37 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1670 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
135W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
Datasheet

מידע נוסף

שמות אחרים
2156-FDP3672
FAIFSCFDP3672
חבילה סטנדרטית
328

סיווג סביבתי וייצוא

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
international-rectifier

IRF9240

HEXFET POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FDD6296

MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK

international-rectifier

AUIRL1404ZS

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDB9403L-F085

MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK