מספר מוצר של יצרן:
SIHG44N65EF-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHG44N65EF-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
מלאי:
12786713
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHG44N65EF-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
E
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
46A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
73mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
278 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5892 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
417W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AC
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
SIHG44
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STW50N65DM2AG
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
600
DiGi מספר חלק
STW50N65DM2AG-DG
מחיר ליחידה
3.94
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SPW47N60C3FKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2038
DiGi מספר חלק
SPW47N60C3FKSA1-DG
מחיר ליחידה
9.11
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXFX80N60P3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
3
DiGi מספר חלק
IXFX80N60P3-DG
מחיר ליחידה
11.27
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STW48NM60N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
582
DiGi מספר חלק
STW48NM60N-DG
מחיר ליחידה
8.75
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQD19P06-60L_GE3
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
SIDR608DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
SISS42LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK