מספר מוצר של יצרן:
SIHG24N65E-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHG24N65E-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
מלאי:
12965892
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHG24N65E-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
24A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
122 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2740 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AC
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
SIHG24
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIHG24N65EE3
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXFH50N60P3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
386
DiGi מספר חלק
IXFH50N60P3-DG
מחיר ליחידה
5.53
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHG73N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC
SIR172ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
SIR158DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8