מספר מוצר של יצרן:
SIHD6N65E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHD6N65E-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
2875 יחידות חדשות מק originales במלאי
12786709
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHD6N65E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
48 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
820 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
78W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SIHD6
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIHD6N65E-GE3TRINACTIVE
SIHD6N65E-GE3TR-DG
SIHD6N65E-GE3CT-DG
SIHD6N65E-GE3TR
SIHD6N65E-GE3CT
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHG44N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
SQD19P06-60L_GE3
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
SIDR608DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
