מספר מוצר של יצרן:
SIHD12N50E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHD12N50E-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 550 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount DPAK
מלאי:
3000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12786062
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHD12N50E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
E
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
550 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
50 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
886 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
114W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TA)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DPAK
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SIHD12
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIHD12N50E-GE3CT
SIHD12N50E-GE3TRINACTIVE
SIHD12N50E-GE3DKR-DG
SIHD12N50E-GE3DKRINACTIVE
SIHD12N50E-GE3DKR
SIHD12N50E-GE3TR-DG
SIHD12N50E-GE3CT-DG
SIHD12N50E-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQD50N05-11L_GE3
MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
SIRA12DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
SIR638DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
