מספר מוצר של יצרן:

SIR638DP-T1-RE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SIR638DP-T1-RE3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8

תיאור מפורט:

N-Channel 40 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12786074

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SIR638DP-T1-RE3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

TrenchFET® Gen IV

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

40 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

100A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

0.88mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

204 nC @ 10 V

VGS (מקס')

+20V, -16V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

10500 pF @ 20 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

104W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

PowerPAK® SO-8

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8

מספר מוצר בסיסי

SIR638

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

SIR638DP-T1-RE3

גיליון נתונים של HTML

SIR638DP-T1-RE3-DG

גליונות נתונים

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

SIR638DP-T1-GE3

יצרן

Vishay Siliconix

כמות זמינה

3065

DiGi מספר חלק

SIR638DP-T1-GE3-DG

מחיר ליחידה

0.62

סוג משאב

Parametric Equivalent

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

SIHG16N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 16A TO247AC

vishay-siliconix

SQJQ402E-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SISH101DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK

vishay-siliconix

SIRA18ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8