מספר מוצר של יצרן:
SIHA11N80AE-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHA11N80AE-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
מלאי:
13140750
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHA11N80AE-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
E
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
42 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
804 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
31W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220 Full Pack
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
SIHA11
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIHA11N80AE-GE3TR-ND
742-SIHA11N80AE-GE3DKR-ND
742-SIHA11N80AE-GE3TR
742-SIHA11N80AE-GE3
742-SIHA11N80AE-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHA6N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
SISS32LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
SIHG105N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
