מספר מוצר של יצרן:
SIR626ADP-T1-RE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIR626ADP-T1-RE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 40.4A (Ta), 165A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
16474 יחידות חדשות מק originales במלאי
13140925
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIR626ADP-T1-RE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen IV
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
40.4A (Ta), 165A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.75mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
83 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3770 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIR626
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIR626ADP-T1-RE3CT
742-SIR626ADP-T1-RE3TR
742-SIR626ADP-T1-RE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHP052N60EF-GE3
MOSFET EF SERIES TO-220AB
SIHA105N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
SIHB105N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
