מספר מוצר של יצרן:
SIDR390DP-T1-RE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIDR390DP-T1-RE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 69.9A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
מלאי:
11 יחידות חדשות מק originales במלאי
12787485
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIDR390DP-T1-RE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen IV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
69.9A (Ta), 100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
0.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
153 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+20V, -16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10180 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8DC
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIDR390
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIDR390DP-T1-RE3DKR
SIDR390DP-T1-RE3TR
SIDR390DP-T1-RE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SIDR390DP-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
7987
DiGi מספר חלק
SIDR390DP-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.92
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR401DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
SUP70060E-GE3
MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB
SQS423EN-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
