SQS423EN-T1_GE3
מספר מוצר של יצרן:

SQS423EN-T1_GE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SQS423EN-T1_GE3-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

מלאי:

12787508
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SQS423EN-T1_GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
21mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
26 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1975 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
62.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
מספר מוצר בסיסי
SQS423

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SQS423EN-T1_GE3DKR
SQS423EN-T1_GE3CT
SQS423EN-T1_GE3-DG
SQS423EN-T1_GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SIHB15N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A TO263

vishay-siliconix

SQP90142E_GE3

MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB

vishay-siliconix

SIJ494DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHG180N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC