מספר מוצר של יצרן:
SIA453EDJ-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIA453EDJ-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC70-6
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 24A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
מלאי:
12914881
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIA453EDJ-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
24A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
18.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
66 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1900 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-50°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SC-70-6
חבילה / מארז
PowerPAK® SC-70-6
מספר מוצר בסיסי
SIA453
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIA453EDJ-T1-GE3DKR
SIA453EDJ-T1-GE3CT
SIA453EDJ-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SIA441DJ-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
71184
DiGi מספר חלק
SIA441DJ-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.18
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIA469DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
IXFR24N50Q
MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247
SIA472EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
