מספר מוצר של יצרן:
SIA469DJ-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIA469DJ-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 12A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
מלאי:
179015 יחידות חדשות מק originales במלאי
12914888
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIA469DJ-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen III
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
26.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1020 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
15.6W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SC-70-6 Single
חבילה / מארז
PowerPAK® SC-70-6
מספר מוצר בסיסי
SIA469
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIA469DJ-T1-GE3CT
SIA469DJ-T1-GE3TR
SIA469DJ-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFR24N50Q
MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247
SIA472EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
IRFR9014TRL
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
