מספר מוצר של יצרן:
SI8489EDB-T2-E1
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI8489EDB-T2-E1-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 3.06A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
מלאי:
4861 יחידות חדשות מק originales במלאי
12918617
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI8489EDB-T2-E1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.06A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
44mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
27 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
765 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
4-Microfoot
חבילה / מארז
4-UFBGA
מספר מוצר בסיסי
SI8489
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI8489EDB-T2-E1CT
SI8489EDB-T2-E1TR
SI8489EDB-T2-E1DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7326DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
SI7840BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
SIE800DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK
