מספר מוצר של יצרן:
SUM70040M-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SUM70040M-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7
מלאי:
799 יחידות חדשות מק originales במלאי
12918635
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SUM70040M-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
120 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5100 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263-7
חבילה / מארז
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
מספר מוצר בסיסי
SUM70040
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SUM70040M-GE3TR
SUM70040M-GE3CT
SUM70040M-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPB049N08N5ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1859
DiGi מספר חלק
IPB049N08N5ATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.92
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STH145N8F7-2AG
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1775
DiGi מספר חלק
STH145N8F7-2AG-DG
מחיר ליחידה
1.56
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7655DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
SQP50P03-07_GE3
MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
SI5440DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
