מספר מוצר של יצרן:
SI8413DB-T1-E1
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI8413DB-T1-E1-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 4.8A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
מלאי:
12914225
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI8413DB-T1-E1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
48mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
21 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.47W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
4-Microfoot
חבילה / מארז
4-XFBGA, CSPBGA
מספר מוצר בסיסי
SI8413
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI8413DB-T1-E3
SI8413DB-T1-E1TR
SI8413DBT1E1
SI8413DB-T1-E1DKR
SI8413DB-T1-E1CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFA8N50P3
MOSFET N-CH 500V 8A TO263
SI7309DN-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
SI3499DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
