מספר מוצר של יצרן:
SI3499DV-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI3499DV-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
תיאור מפורט:
P-Channel 8 V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
מלאי:
7129 יחידות חדשות מק originales במלאי
12914236
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI3499DV-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
8 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.3A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
23mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
750mV @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
42 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±5V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-TSOP
חבילה / מארז
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
מספר מוצר בסיסי
SI3499
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI3499DV-T1-GE3-DG
SI3499DVT1GE3
SI3499DV-T1-GE3TR
SI3499DV-T1-GE3CT
SI3499DV-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4848DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
IRLZ44PBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
IXFY4N60P3
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
