מספר מוצר של יצרן:
IXFY4N60P3
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFY4N60P3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12914248
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFY4N60P3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™, Polar3™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
365 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
114W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IXFY4
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
-IXFY4N60P3
חבילה סטנדרטית
70
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPD80R2K0P7ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
67
DiGi מספר חלק
IPD80R2K0P7ATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.32
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FQD5N60CTM
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FQD5N60CTM-DG
מחיר ליחידה
0.42
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TSM4NB60CP ROG
יצרן
Taiwan Semiconductor Corporation
כמות זמינה
9
DiGi מספר חלק
TSM4NB60CP ROG-DG
מחיר ליחידה
0.34
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTY4N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
70
DiGi מספר חלק
IXTY4N65X2-DG
מחיר ליחידה
1.07
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTY8N70X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
49
DiGi מספר חלק
IXTY8N70X2-DG
מחיר ליחידה
1.41
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BUK9E04-40A,127
MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
IRFR020TR
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
SI4638DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SO