מספר מוצר של יצרן:
SI7946ADP-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI7946ADP-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 150V 7.7A PPAK SO8
תיאור מפורט:
Mosfet Array 150V 7.7A (Tc) 19.8W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
מלאי:
12913693
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI7946ADP-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.7A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
186mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.5nC @ 7.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
230pF @ 75V
הספק - מקס'
19.8W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8 Dual
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8 Dual
מספר מוצר בסיסי
SI7946
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SP8K52FRATB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2460
DiGi מספר חלק
SP8K52FRATB-DG
מחיר ליחידה
0.42
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SH8KA7GZETB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2500
DiGi מספר חלק
SH8KA7GZETB-DG
מחיר ליחידה
0.76
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI1913EDH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
SI1970DH-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
SI5504DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
