מספר מוצר של יצרן:
SI1970DH-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI1970DH-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6
מלאי:
12913703
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI1970DH-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.3A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
225mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.6V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3.8nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
95pF @ 15V
הספק - מקס'
1.25W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
חבילת מכשירים לספקים
SC-70-6
מספר מוצר בסיסי
SI1970
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDG6301N
יצרן
onsemi
כמות זמינה
69606
DiGi מספר חלק
FDG6301N-DG
מחיר ליחידה
0.11
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI5504DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
SI6968BEDQ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
FMK75-01F
MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC
