SI7411DN-T1-E3
מספר מוצר של יצרן:

SI7411DN-T1-E3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SI7411DN-T1-E3-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 20V 7.5A PPAK1212-8
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 7.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

מלאי:

12914355
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SI7411DN-T1-E3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
19mOhm @ 11.4A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 300µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
41 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
מספר מוצר בסיסי
SI7411

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SI7411DN-T1-E3CT
SI7411DN-T1-E3TR
SI7411DN-T1-E3DKR
SI7411DNT1E3
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
SIS407DN-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
45251
DiGi מספר חלק
SIS407DN-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.34
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SI5482DU-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK

vishay-siliconix

SI8806DB-T2-E1

MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT

vishay-siliconix

SI4108DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

vishay-siliconix

IRFR9210TRR

MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK