מספר מוצר של יצרן:
SI7119DN-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI7119DN-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
תיאור מפורט:
P-Channel 200 V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
מלאי:
1007 יחידות חדשות מק originales במלאי
12914864
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI7119DN-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.05Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
666 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-50°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
מספר מוצר בסיסי
SI7119
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI7119DN-T1-E3CT
SI7119DNT1E3
SI7119DN-T1-E3TR
SI7119DN-T1-E3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SI7119DN-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
32865
DiGi מספר חלק
SI7119DN-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.33
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI8499DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
SIDR668DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
SI1073X-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
