מספר מוצר של יצרן:
SI8499DB-T2-E1
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI8499DB-T2-E1-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
מלאי:
5505 יחידות חדשות מק originales במלאי
12914866
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI8499DB-T2-E1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
32mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1300 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-Micro Foot™ (1.5x1)
חבילה / מארז
6-UFBGA
מספר מוצר בסיסי
SI8499
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI8499DB-T2-E1DKR
SI8499DBT2E1
SI8499DB-T2-E1CT
SI8499DB-T2-E1TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIDR668DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
SI1073X-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
SI7322DN-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
