מספר מוצר של יצרן:
SI4816BDY-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI4816BDY-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12913520
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI4816BDY-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
LITTLE FOOT®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Half Bridge)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.8A, 8.2A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10nC @ 5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
1W, 1.25W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
SI4816
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI4816BDYT1GE3
SI4816BDY-T1-GE3CT
SI4816BDY-T1-GE3TR
SI4816BDY-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7960DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
SI4539ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
SI5513CDC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
