מספר מוצר של יצרן:
SI7960DP-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI7960DP-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
מלאי:
12913526
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI7960DP-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.2A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
21mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
75nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
1.4W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8 Dual
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8 Dual
מספר מוצר בסיסי
SI7960
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI7960DP-T1-E3CT
SI7960DP-T1-E3TR
SI7960DP-T1-E3DKR
SI7960DPT1E3
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SI7252DP-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SI7252DP-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.83
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4539ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
SI5513CDC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
SI7216DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
