מספר מוצר של יצרן:
SI4563DY-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI4563DY-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 40V 8A 3.25W Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12912845
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI4563DY-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
16mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
85nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2390pF @ 20V
הספק - מקס'
3.25W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
SI4563
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMC4015SSD-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
13754
DiGi מספר חלק
DMC4015SSD-13-DG
מחיר ליחידה
0.36
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SI4564DY-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SI4564DY-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.48
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI1902CDL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
SI7956DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
VMM45-02F
MOSFET 2N-CH 200V 45A TO240AA
