מספר מוצר של יצרן:
SI7956DP-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI7956DP-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
תיאור מפורט:
Mosfet Array 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
מלאי:
2316 יחידות חדשות מק originales במלאי
12912886
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI7956DP-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.6A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
105mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
26nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
1.4W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8 Dual
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8 Dual
מספר מוצר בסיסי
SI7956
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI7956DP-T1-E3DKR
SI7956DP-T1-E3TR
SI7956DP-T1-E3CT
SI7956DPT1E3
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SP8K52FRATB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2460
DiGi מספר חלק
SP8K52FRATB-DG
מחיר ליחידה
0.42
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SH8KA7GZETB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2500
DiGi מספר חלק
SH8KA7GZETB-DG
מחיר ליחידה
0.76
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
VMM45-02F
MOSFET 2N-CH 200V 45A TO240AA
SI1016X-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
SI1035X-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V SC89
