מספר מוצר של יצרן:
SI4190ADY-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI4190ADY-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 18.4A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12919218
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI4190ADY-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.8V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
67 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1970 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 6W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
SI4190
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI4190ADY-T1-GE3DKR
SI4190ADY-T1-GE3TR
SI4190ADYT1GE3
SI4190ADY-T1-GE3CT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RS3L045GNGZETB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1173
DiGi מספר חלק
RS3L045GNGZETB-DG
מחיר ליחידה
0.25
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RS1L145GNTB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1003
DiGi מספר חלק
RS1L145GNTB-DG
מחיר ליחידה
0.81
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SUM70060E-GE3
MOSFET N-CH 100V 131A TO263
SUP60N10-18P-E3
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
SIHD6N65ET1-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
