מספר מוצר של יצרן:
SI2337DS-T1-BE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI2337DS-T1-BE3-DG
תיאור:
P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
תיאור מפורט:
P-Channel 80 V 1.2A (Ta), 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
מלאי:
6790 יחידות חדשות מק originales במלאי
12986894
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI2337DS-T1-BE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.2A (Ta), 2.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
270mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
500 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
760mW (Ta), 2.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3 (TO-236)
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SI2337DS-T1-BE3TR
742-SI2337DS-T1-BE3CT
742-SI2337DS-T1-BE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN3009LFVQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
TSM025NH04LCR RLG
40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
SI7615BDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK