DMN3009LFVQ-13

מספר מוצר של יצרן:

DMN3009LFVQ-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMN3009LFVQ-13-DG

תיאור:

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 60A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12986897

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMN3009LFVQ-13 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

60A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

5.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

42 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2000 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

כיתה

Automotive

ההסמכה

AEC-Q101

סוג הרכבה

Surface Mount, Wettable Flank

חבילת מכשירים לספקים

PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

מספר מוצר בסיסי

DMN3009

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

31-DMN3009LFVQ-13TR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

taiwan-semiconductor

TSM025NH04LCR RLG

40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

vishay-siliconix

SI7615BDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK

diodes

DMTH4014LFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

diodes

DMTH4001SPSQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506