מספר מוצר של יצרן:
SI1965DH-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI1965DH-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6
מלאי:
2830 יחידות חדשות מק originales במלאי
12911949
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI1965DH-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.3A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4.2nC @ 8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
120pF @ 6V
הספק - מקס'
1.25W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
חבילת מכשירים לספקים
SC-70-6
מספר מוצר בסיסי
SI1965
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SI1965DH-T1-E3DKR
SI1965DH-T1-E3-DG
742-SI1965DH-T1-E3CT
742-SI1965DH-T1-E3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4910DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SOIC
VWM350-0075P
MOSFET 6N-CH 75V 340A V2-PAK
SI7964DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO8
