SI7964DP-T1-E3

מספר מוצר של יצרן:

SI7964DP-T1-E3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SI7964DP-T1-E3-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO8

תיאור מפורט:

Mosfet Array 60V 6.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12912129

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SI7964DP-T1-E3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

Vishay

אריזות

-

סדרה

TrenchFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

-

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

6.1A

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

23mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

65nC @ 10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

-

הספק - מקס'

1.4W

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8 Dual

חבילת מכשירים לספקים

PowerPAK® SO-8 Dual

מספר מוצר בסיסי

SI7964

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

SI7964DP-T1-E3-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

SI7964DPT1E3

SI7964DP-T1-E3TR

SI7964DP-T1-E3CT

SI7964DP-T1-E3DKR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

SI7214DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 4.6A PPAK 1212

vishay-siliconix

SI7212DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212

vishay-siliconix

SI1912EDH-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

vishay-siliconix

SI4936CDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC