מספר מוצר של יצרן:
SI1427EDH-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI1427EDH-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 2A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
מלאי:
3001 יחידות חדשות מק originales במלאי
12959658
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI1427EDH-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
64mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
21 nC @ 8 V
VGS (מקס')
±8V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SC-70-6
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
מספר מוצר בסיסי
SI1427
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI1427EDH-T1-GE3CT
SI1427EDH-T1-GE3TR
SI1427EDHT1GE3
SI1427EDH-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFI740GLCPBF
MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220-3
SI5857DU-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
SI2334DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3
