מספר מוצר של יצרן:
SI5857DU-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI5857DU-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
מלאי:
12959672
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI5857DU-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
LITTLE FOOT®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
480 pF @ 10 V
תכונת FET
Schottky Diode (Isolated)
פיזור כוח (מרבי)
2.3W (Ta), 10.4W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® ChipFET™ Single
חבילה / מארז
PowerPAK® ChipFET™ Single
מספר מוצר בסיסי
SI5857
מידע נוסף
שמות אחרים
SI5857DU-T1-E3CT
SI5857DU-T1-E3TR
SI5857DUT1E3
SI5857DU-T1-E3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI2334DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3
SI4430BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
SI3460BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
