מספר מוצר של יצרן:
SI1303EDL-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI1303EDL-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 670mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
מלאי:
12959632
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI1303EDL-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
670mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
430mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
600mV @ 250µA (Min)
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.5 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
290mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SC-70-3
חבילה / מארז
SC-70, SOT-323
מספר מוצר בסיסי
SI1303
מידע נוסף
שמות אחרים
SI1303EDLT1E3
SI1303EDL-T1-E3CT
SI1303EDL-T1-E3TR
SI1303EDL-T1-E3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4126DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
IRL530L
MOSFET N-CH 100V 15A TO262-3
SI4825DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8SO
