מספר מוצר של יצרן:
SI1056X-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI1056X-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 1.32A SC89-6
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 1.32A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
מלאי:
12914105
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI1056X-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.32A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
89mOhm @ 1.32A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
950mV @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8.7 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
400 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
236mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SC-89 (SOT-563F)
חבילה / מארז
SOT-563, SOT-666
מספר מוצר בסיסי
SI1056
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI1056X-T1-E3DKR
SI1056XT1E3
SI1056X-T1-E3TR
SI1056X-T1-E3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFA6N120P
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
SI7119DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
IXFA12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
