מספר מוצר של יצרן:
IXFX170N20T
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFX170N20T-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 170A (Tc) 1150W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
מלאי:
12914117
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFX170N20T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Trench
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
170A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
265 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
19600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PLUS247™-3
חבילה / מארז
TO-247-3 Variant
מספר מוצר בסיסי
IXFX170
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFP4668PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
8420
DiGi מספר חלק
IRFP4668PBF-DG
מחיר ליחידה
4.38
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFR120PBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IRFP054PBF
MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
SI5482DU-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
