SI1050X-T1-E3

מספר מוצר של יצרן:

SI1050X-T1-E3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SI1050X-T1-E3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6

תיאור מפורט:

N-Channel 8 V 1.34A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12914918

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SI1050X-T1-E3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

-

סדרה

TrenchFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

8 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

1.34A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

86mOhm @ 1.34A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

900mV @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

11.6 nC @ 5 V

VGS (מקס')

±5V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

585 pF @ 4 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

236mW (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

SC-89 (SOT-563F)

חבילה / מארז

SOT-563, SOT-666

מספר מוצר בסיסי

SI1050

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

SI1050X-T1-E3-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

SI1050X-T1-E3DKR

SI1050X-T1-E3TR

SI1050XT1E3

SI1050X-T1-E3CT

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

SI1050X-T1-GE3

יצרן

Vishay Siliconix

כמות זמינה

56729

DiGi מספר חלק

SI1050X-T1-GE3-DG

מחיר ליחידה

0.13

סוג משאב

Direct

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

IRFU9024

MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA

vishay-siliconix

SI1433DH-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6

vishay-siliconix

SI4410BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO

littelfuse

IXTT4N150HV

MOSFET N-CH 1500V 4A TO268