מספר מוצר של יצרן:
SI1433DH-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI1433DH-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 1.9A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
מלאי:
12914929
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI1433DH-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.9A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
150mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
950mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SC-70-6
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
מספר מוצר בסיסי
SI1433
מידע נוסף
שמות אחרים
SI1433DH-T1-E3CT
SI1433DH-T1-E3TR
SI1433DH-T1-E3DKR
SI1433DHT1E3
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4410BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
IXTT4N150HV
MOSFET N-CH 1500V 4A TO268
SI4497DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
