מספר מוצר של יצרן:
IRLIZ14GPBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRLIZ14GPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 8A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
966 יחידות חדשות מק originales במלאי
12914517
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRLIZ14GPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
200mOhm @ 4.8A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8.4 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
27W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מספר מוצר בסיסי
IRLIZ14
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRLIZ14GPBF
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4483EDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
IRFBE20STRR
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
SI2306BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
