מספר מוצר של יצרן:
SI4483EDY-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI4483EDY-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12914518
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI4483EDY-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
VGS (מקס')
±25V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
SI4483
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMG4413LSS-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
3968
DiGi מספר חלק
DMG4413LSS-13-DG
מחיר ליחידה
0.32
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFBE20STRR
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
SI2306BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
IRFP360LCPBF
MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
