מספר מוצר של יצרן:
IRLI640GPBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRLI640GPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 9.9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12912621
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRLI640GPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
180mOhm @ 5.9A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
66 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1800 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
40W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מספר מוצר בסיסי
IRLI640
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRLI640GPBF
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FQPF19N20C
יצרן
onsemi
כמות זמינה
783
DiGi מספר חלק
FQPF19N20C-DG
מחיר ליחידה
0.57
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RCX160N20
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
500
DiGi מספר חלק
RCX160N20-DG
מחיר ליחידה
0.55
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRF200B211
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4746
DiGi מספר חלק
IRF200B211-DG
מחיר ליחידה
0.51
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRLS640A
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IRLS640A-DG
מחיר ליחידה
0.77
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STF19NF20
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1731
DiGi מספר חלק
STF19NF20-DG
מחיר ליחידה
0.56
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFZ140N25T
MOSFET N-CH 250V 100A DE475
SI4462DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8SO
SI2307BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
