IXFZ140N25T
מספר מוצר של יצרן:

IXFZ140N25T

Product Overview

יצרן:

IXYS

DiGi Electronics מספר חלק:

IXFZ140N25T-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 250V 100A DE475
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 100A (Tc) 445W (Tc) Surface Mount DE475

מלאי:

12912626
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IXFZ140N25T מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™, Trench
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
17mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
255 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
19000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
445W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DE475
חבילה / מארז
6-SMD, Flat Leads
מספר מוצר בסיסי
IXFZ140

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
20

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SI4462DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 1.15A 8SO

vishay-siliconix

SI2307BDS-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

vishay-siliconix

IRL2203STRL

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

vishay-siliconix

SI7485DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8