מספר מוצר של יצרן:
IRLI640G
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRLI640G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 9.9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12961694
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRLI640G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
180mOhm @ 5.9A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
66 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1800 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
40W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מספר מוצר בסיסי
IRLI640
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRLI640G
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FQPF19N20C
יצרן
onsemi
כמות זמינה
783
DiGi מספר חלק
FQPF19N20C-DG
מחיר ליחידה
0.57
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RCX160N20
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
500
DiGi מספר חלק
RCX160N20-DG
מחיר ליחידה
0.55
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRF200B211
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4746
DiGi מספר חלק
IRF200B211-DG
מחיר ליחידה
0.51
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRLI640GPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IRLI640GPBF-DG
מחיר ליחידה
1.38
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
IRLS640A
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IRLS640A-DG
מחיר ליחידה
0.77
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQD40N06-25L-GE3
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
SI3429EDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
SIHP10N40D-E3
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
