מספר מוצר של יצרן:
IRL620STRR
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRL620STRR-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12911733
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRL620STRR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
800mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
360 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IRL620
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SIHL620STRL-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
776
DiGi מספר חלק
SIHL620STRL-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.31
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
SIHL620S-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
860
DiGi מספר חלק
SIHL620S-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.31
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
IRL620STRLPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
130
DiGi מספר חלק
IRL620STRLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.84
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFR9310TRL
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
IRF730AL
MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK
IXFP12N50P
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
