מספר מוצר של יצרן:
IRF730AL
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF730AL-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole I2PAK
מלאי:
12911744
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF730AL מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
400 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
74W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I2PAK
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IRF730
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRF730AL
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFP12N50P
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
IRFU1N60APBF
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
SI7230DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
