מספר מוצר של יצרן:
IRFDC20
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFDC20-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
מלאי:
12886023
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFDC20 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
320mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.4Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
350 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
4-HVMDIP
חבילה / מארז
4-DIP (0.300", 7.62mm)
מספר מוצר בסיסי
IRFDC20
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRFDC20
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFDC20PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
5886
DiGi מספר חלק
IRFDC20PBF-DG
מחיר ליחידה
0.85
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF610
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
IRF610L
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO262
IRF624
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
